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Si4122DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
42
2 8
V GS = 10 thru 4 V
5
4
3
2
T C = 25 °C
14
0
V GS = 3 V
1
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0060
0.0054
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
6600
5500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
4400
C iss
0.004 8
3300
0.0042
V GS = 10 V
2200
0.0036
0.0030
1100
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
8
16
24
32
40
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 10 A
V DS = 10 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
8
1.5
V DS = 20 V
6
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
0.9
2
0
0.6
0
13
26
39
52
65
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68665
S-81220-Rev. A, 02-Jun-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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